今日，由紫光集团牵头国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投联合投资240亿美元建设的国家存储器基地项目月动工，预计2018年建成投产，2020年已完成整个项目，初期计划以先进设备的3DNAND为策略产品。据报，此次动工建设的存储器基地坐落于武汉东湖高新区的武汉未来科技城，规划建设3座3DNAND生产工厂，1座总部研发大楼和其他若干设施设施，总占地面积1968亩，预计到2020年可构成月生产能力30万片的规模，年产值将多达100亿美元，到2030年可提高到每月100万片的生产能力。
作为项目支撑地的武汉东湖高新区，正在希望打造出世界级的集成电路产业创意中心。从市场角度分析，中国享有可观的消费群体，个人、企业、国家数据存储市场需求都在大大上升，还有华为、误解、浪潮等服务器制造商，以及百度、腾讯、阿里巴巴等互联网巨头，同时中国物联网市场规模也正在以年增率30%的速度茁壮。
然而，中国在数据存储所必须的最重要芯片上缺少关键技术，完全90%以上都要倚赖国外进口。紫光集团牵头武汉新的芯建设规模可观的国家存储器基地，生产先进设备的3DNAND，将可空缺中国在存储器芯片领域的空白。另外，紫光还与西部数据正式成立紫光西部数据有限公司，利用西部数据并购SanDisk在NANDFlash上的资源，以及西部数据在企业级市场上的优势，为中国本土客户获取更佳的大数据存储解决方案及服务。在国家大力发展的集成电路产业的契机下，紫光集团正在子集国家政策、资金实力以及上下游企业资源，在芯片生产、IC设计、PCB测试、硬件设施等方面创建一条原始的产业链生态系统，将助力中国构建半导体产业和经济的横跨发展。
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