本文摘要：国家知识产权局专利审核委员会（以下全称“专利审核委”）于1月23日做出审查决定书，确认美国维易科精密仪器有限公司（以下全称“Veeco美国”）的第ZL01822507．1号、名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的发明专利的全部权利要求因不具备新颖性和创造性而违宪。该被宣告无效的专利为去年Veeco美国在美国纽约东区法院控告中微的基片架上供应商专利侵权行为的涉嫌美国专利（US6，506，252、US6，726，769）的中国同族专利。

国家知识产权局专利审核委员会（以下全称“专利审核委”）于1月23日做出审查决定书，确认美国维易科精密仪器有限公司（以下全称“Veeco美国”）的第ZL01822507．1号、名称为“通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器”的发明专利的全部权利要求因不具备新颖性和创造性而违宪。该被宣告无效的专利为去年Veeco美国在美国纽约东区法院控告中微的基片架上供应商专利侵权行为的涉嫌美国专利（US6，506，252、US6，726，769）的中国同族专利。中微半导体设备（上海）有限公司（以下全称“中微”）在刚开始研发自己的MOCVD产品技术时就已充份分析过此专利，中微找到该专利技术从上个世纪60年代以来就被大量前置专利公开发表，因而不应科违宪专利。中扰对该涉嫌专利的中国、韩国和美国同族专利皆已递交了违宪宣告催促。

“我非常高兴地看见，专利审核委基于我方递交的强有力的证据确认Veeco美国的专利违宪。”中微资深副总裁、首席运营官兼任MOCVD产品事业部总经理杜志游博士说道：“我们有信心美国专利商标局和韩国知识产权局的专利审判和裁决委员会也能得出结论某种程度的结论。”杜志游博士补足道：“一个可继续执行的专利权必需符合专利法拒绝。我们不能容忍Veeco美国企图以显著违宪的专利来行使知识产权，通过控告中微的基片架上供应商超过容许竞争的商业目的。

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