近日，光迅科技公布了2014年年报，年报表明2014年构建营收24.33亿元，同比快速增长14.08%；净利润1.44亿元，同比上升11.86%，净利润上升主要是2014年取得的政府补助金收益大幅度增加。研发费用为2.42亿元，占到销售额的10%；总资产35.86亿元，同比快速增长35.62%。 分业务来看，传输类销售收入10.40亿元，同比快速增长16.94%；数据和终端类销售收入7.19亿元，同比快速增长7.21%；子系统等其他产品收益9.39亿元，同比快速增长49.36%。
分地区看，光迅科技海外业务营收6.51亿元（约合1.05亿美元），同比快速增长20.07%，是中国第一家海外销售突破1亿美元的光器件厂商。凭借在海外市场的强势展现出，光迅科技位居全球光器件厂商前六名的方位。 年报还表明，光迅科技2014年销售各类器件模块共7016万只，同比快速增长21.26%。 知识产权方面，光迅科技2014年共计申请专利128项，许可专利72项，专利申请年增长率维持在20%以上。
专利结构更进一步调整优化，发明专利占60%，国外专利超过8%。全年联合及参予制订国家标准、行业标准和研究课题等总计27项，全年科技创新收益和科技成果转化成收益占到营业收入比达28%。 光迅科技研发资金主要投在了100G/400G、混合构建PCB、硅光构建、光点对点技术、光交叉技术、传感等领域，并在2014年构建了核心芯片、即墨分段PCB、相干性调制技术等关键技术的突破。
在明确应用于上，通过结构工艺调整，激光器芯片成品率获得较小提升；100G光通信系统用系列光器件紧随客户市场需求，已构成产品族；相结合MEMS平台基础，智能MEMSOSW获得批量获释。其重点建设的有源COB工艺平台，也不具备了批量生产能力。
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